Volkov-Pankratov模型中二维拓扑绝缘体的边缘吸收与纯自旋电流
介观与纳米尺度物理
2017-10-27 v1
摘要
在Volkov-Pankratov模型中考虑了二维拓扑绝缘体（TI）边缘态与二维态之间跃迁引起的光吸收。结果表明，只有当面内电场垂直于TI边缘时，跃迁才被允许。发现吸收伴随着沿TI边缘的纯自旋光电流。讨论了利用二维TI量子点的偏振发光测量自旋电流的可能性。
引用
@article{arxiv.1707.03557,
title = {Edge absorption and pure spin current in 2D topological insulator in the Volkov-Pankratov model},
author = {M. M. Mahmoodian and L. I. Magarill and M. V. Entin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.03557},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 5 figures