具有发达边缘态网络的二维拓扑绝缘体中的微波吸收
介观与纳米尺度物理
2019-02-20 v2 无序系统与神经网络
摘要
基于宽度涨落将体系转变为具有正、负能隙域的随机混合体的假设，我们对二维HgTe量子阱进行了分析。普通绝缘体与拓扑绝缘体相之间的边界形成了覆盖整个样品的边缘态网络。边缘态内的光学跃迁产生二维吸收。定性考虑基于弯曲边缘态中的光学边缘内跃迁模型以及渗流论证。
引用
@article{arxiv.1811.03298,
title = {Microwave absorption in a 2D topological insulators with a developed network of edge states},
author = {M. M. Mahmoodian and M. V. Entin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.03298},
year = {2019}
}
备注
5 pages, 4 figures