单层 1T'-WTe2 中二维拓扑绝缘体的直接可视化
材料科学
2017-07-12 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们利用分子束外延（MBE）在石墨化 6H-SiC(0001) 上生长近乎自支撑的单层 1T'-WTe2，并用扫描隧道显微镜/谱（STM/STS）表征其电子结构。我们展示了单层 WTe2 岛边缘存在拓扑边缘态。令人惊讶的是，我们还在低温下发现单层 WTe2 体态中存在带隙并表现出半导体行为，这很可能源于非公度电荷密度波（CDW）转变。在单层过渡金属二硫族化物（TMD）中实现二维拓扑绝缘体（2D TI），为进一步探索 2D TI 物理及相关应用提供了一个有前景的平台。
引用
@article{arxiv.1703.04042,
title = {Direct Visualization of 2D Topological Insulator in Single-layer 1T'-WTe2},
author = {Zhen-Yu Jia and Ye-Heng Song and Xiang-Bing Li and Kejing Ran and Pengchao Lu and Hui-Jun Zheng and Xin-Yang Zhu and Zhi-Qiang Shi and Jian Sun and Jinsheng Wen and Dingyu Xing and Shao-Chun Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.04042},
year = {2017}
}
备注
12 pages, 5 figures, submitted on Feb 13, 2017 to Phys. Rev. B (Rapid Communications) 2017