弱磁机械拓扑绝缘体中位错处的束缚态
介观与纳米尺度物理
2020-12-16 v2 材料科学
摘要
拓扑绝缘体（TIs）的特征是体绝缘且在边界上存在受对称性保护的束缚态。"强"拓扑绝缘体的特征是在所有边界上存在受某些内禀对称性保护的稳健导电态。然而，"弱"拓扑绝缘体（WTI）需要晶格平移对称性，使其对无序更为敏感。不过，这种敏感性带来了有趣的特征，例如各向异性边缘模、量子化电荷极化，以及出现在位错缺陷处的束缚态。尽管具有有趣的特征，WTIs对无序的敏感性给实验验证带来了挑战。在此我们实现了一个二维磁机械超材料，并实验演示了WTI的独特特征。具体而言，我们展示了该二维WTI具有各向异性且仅在特定边缘上存在边缘模，同时还在位错缺陷处存在束缚态。我们由堆叠的一维SSH链构建二维WTI，并实验展示了该一维模型的不同带隙相。
引用
@article{arxiv.1909.01431,
title = {Trapped state at a dislocation in a weak magnetomechanical topological insulator},
author = {Inbar Hotzen Grinberg and Mao Lin and Wladimir A. Benalcazar and Taylor L. Hughes and Gaurav Bahl},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.01431},
year = {2020}
}
备注
15.9 + 9.9 pages. 4+2 figures