卤化铋Bi4Br2I2中的稳健弱拓扑绝缘体
材料科学
2024-09-27 v1
摘要
我们应用拓扑材料设计概念，通过二维拓扑绝缘体层的不同范德瓦耳斯堆叠来选择三维晶体的体拓扑，并借助角分辨光电子能谱(ARPES)、密度泛函理论(DFT)计算和电阻测量，发现卤化铋Bi4Br2I2是一种理想的弱拓扑绝缘体(WTI)，其带隙（约230 meV）在所有WTI候选体中最大。我们的结果极大地拓展了利用稳健WTI进行基础研究和器件应用的未来机遇。
引用
@article{arxiv.2301.07158,
title = {A robust weak topological insulator in a bismuth halide Bi4Br2I2},
author = {Ryo Noguchi and Masaru Kobayashi and Kaishu Kawaguchi and Chun Lin and Hiroaki Tanaka and Kenta Kuroda and Ayumi Harasawa and Viktor Kandyba and Mattia Cattelan and Alexei Barinov and Makoto Hashimoto and Donghui Lu and Takao Sasagawa and Takeshi Kondo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2301.07158},
year = {2024}
}
备注
7 pages, 4 figures