层间耦合诱导的弱拓扑绝缘体：堆叠 Bi2TeI 的第一性原理研究
材料科学
2015-08-17 v1
摘要
基于第一性原理计算，我们预测已合成的化学计量化合物 Bi2TeI 在层状亚价铋碲碘化物中是一种弱拓扑绝缘体 (TI)。在 80 meV 的体能隙内，两个类狄拉克锥拓扑表面态存在于垂直于 BiTeI 层平面的侧表面上。由于强烈的层间耦合，这些狄拉克锥具有相对各向同性，这与先前报道的弱 TI 候选者不同。此外，具有化学稳定包覆层的 BiTeI-Bi2-BiTeI 夹心结构是一个鲁棒的量子自旋霍尔系统，可通过简单剥离块体 Bi2TeI 获得。
引用
@article{arxiv.1307.8054,
title = {Weak topological insulators induced by the inter-layer coupling: A first-principles study of stacked Bi2TeI},
author = {Peizhe Tang and Binghai Yan and Wendong Cao and Shu-Chun Wu and Claudia Felser and Wenhui Duan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.8054},
year = {2015}
}
备注
4.5 pages, 4 figures