PbBi₂Te₄作为三维拓扑绝缘体的实验验证
介观与纳米尺度物理
2015-06-03 v2
摘要
本文首次提供了PbBi₂Te₄中拓扑绝缘体态的实验证据。利用同步辐射光源的角分辨光电子能谱（ARPES）观测到单个表面狄拉克锥。根据第一性原理能带结构计算得出拓扑不变量ℤ₂为1；（111）。观测到的体能隙中的二维等能轮廓，在已知的三维拓扑绝缘体中为最大。这为未来自旋电子学器件中实现足够大的自旋电流密度开辟了途径。
引用
@article{arxiv.1111.5730,
title = {Experimental verification of PbBi$_{2}$Te$_{4}$ as a 3D topological insulator},
author = {K. Kuroda and H. Miyahara and M. Ye and S. V. Eremeev and Yu. M. Koroteev and E. E. Krasovskii and E. V. Chulkov and S. Hiramoto and C. Moriyoshi and Y. Kuroiwa and K. Miyamoto and T. Okuda and M. Arita and K. Shimada and H. Namatame and M. Taniguchi and Y. Ueda and A. Kimura},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.5730},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 5 figures, accepted for publication in Phys. Rev. Lett