层状拓扑绝缘体中的新拓扑表面态：未占据狄拉克锥
材料科学
2015-06-15 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们利用密度泛函理论方法研究了拓扑绝缘体 Bi_2Se_3、PbSb_2Te_4 和 Pb_2Bi_2Te_2S_3 中的未占据态。研究表明，在这些绝缘体的 (0001) 表面布里渊区中心处的倒置导带能隙中，会出现具有线性色散的表面态。 不变量的替代表达式使我们能够证明：第二个 Gamma 狄拉克锥存在的必要条件是体谱的时间反演不变动量点处存在局部能隙，且其中一点的宇称发生改变。
引用
@article{arxiv.1303.2472,
title = {New topological surface state in layered topological insulators: unoccupied Dirac cone},
author = {S. V. Eremeev and I. V. Silkin and T. V. Menshchikova and A. P. Protogenov and E. V. Chulkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.2472},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures