具有受保护无能隙螺旋态的弱拓扑绝缘体
介观与纳米尺度物理
2015-03-19 v2
摘要
我们提出了一个用于描述引入三维拓扑绝缘体中的位错线的可行模型。我们展示了弱拓扑绝缘体的脆弱表面狄拉克锥如何演化为局限于位错线附近的受保护无能隙螺旋模式。我们证明，当表面变形为穿透原本无表面系统的圆柱体时，拓扑绝缘体（无论是强还是弱）的表面狄拉克锥会获得一个有限尺寸能隙。我们表明，当引入具有非平凡伯格斯矢量的位错时，该有限尺寸能隙起到了稳定一维无能隙态的作用。
引用
@article{arxiv.1103.1430,
title = {Weak topological insulator with protected gapless helical states},
author = {Ken-Ichiro Imura and Yositake Takane and Akihiro Tanaka},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.1430},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 17 figures