三维拓扑绝缘体周期性门控表面的非常规能带结构
介观与纳米尺度物理
2015-12-09 v2
摘要
三维（3D）拓扑绝缘体的表面态由二维（2D）无质量 Dirac 方程描述。在此类表面上由栅极电压诱导的一维势垒会在 Dirac 锥外的禁阻区域产生离散束缚态。即使对于单个势垒，也已表明这种束缚态可产生 Shubnikov-de Haas 振荡的静电模拟，这在相对较小尺寸的样品中可通过实验观察到。然而，当这些表面态暴露于此类栅极电压诱导势垒的周期性排列时，其能带结构会发生非平凡修正。预计这将显著改变宏观系统的性质。我们还提出，在适当的极限下，该系统可能提供静电控制电子自旋的方法，具有实际应用价值。
引用
@article{arxiv.1411.2091,
title = {Unconventional band structure for a periodically gated surface of a three dimensional Topological Insulator},
author = {Puja Mondal and Sankalpa Ghosh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.2091},
year = {2015}
}
备注
Revised. Supplementary information is available in the same url as a pdf file. Accepted for Publication in Journal of Physics Condensed Matter