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三维拓扑绝缘体中狄拉克电子的一维通道

材料科学 2012-05-29 v3 介观与纳米尺度物理

摘要

拓扑绝缘体代表了一种新的物质状态,其中体带的拓扑性质决定了具有独特性质的表面态的存在。这些材料被预测可以承载奇异态,如马约拉纳费米子和一维手性模式,其中许多需要精细调节狄拉克点附近的表面态性质。使用扫描隧道显微镜(STM)在原型拓扑绝缘体Bi2Te3上,我们发现了诱导电子结构空间调制变化的一维拓扑条纹。直接磁场测量揭示了朗道能级能量的条纹图案,可用于实现具有交替填充分数的空间区域。当化学势被适当调节时,观察到的调制将决定条纹边界处拓扑一维手性模式的存在,并为在拓扑绝缘体中实验实现一维无耗散量子线提供平台。我们的发现表明,表面态色散在纳米尺度上通过内在拓扑路径被调制,代表了控制狄拉克电子性质的新范式。

关键词

引用

@article{arxiv.1203.0020,
  title  = {One-dimensional channel for Dirac electrons in a 3D topological insulator},
  author = {Yoshinori Okada and Wenwen Zhou and Chetan. Dhital and D. Walkup and Ying Ran and Z. Wang and Stephen D. Wilson and V. Madhavan},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1203.0020},
  year   = {2012}
}

备注

This paper has been withdrawn due to major changes. The improved version would be submitted elsewhere