基于拓扑绝缘体的范德瓦耳斯异质结构中狄拉克表面态的能带工程
介观与纳米尺度物理
2015-09-24 v1
摘要
三维(3D)拓扑绝缘体(TI)的无带隙狄拉克表面能带的存在由体能带的非平庸拓扑特性所保证，但表面能带色散主要由表面附近的环境决定。在本快报中，通过对基于3D TI的范德瓦耳斯异质结构进行原位角分辨光电子能谱(ARPES)和第一性原理计算，我们证明可以通过表面修饰来调控3D TI的表面能带结构，同时不破坏其拓扑非平庸性质。该结果为独立控制3D TI的表面和体电子结构提供了一种可行方法，并为设计用于电子和自旋电子学的人工拓扑材料提供了思路。
引用
@article{arxiv.1509.07108,
title = {Band engineering of Dirac surface states in topological insulators-based van der Waals heterostructures},
author = {Cui-Zu Chang and Peizhe Tang and Xiao Feng and Kang Li and Xu-Cun Ma and Wenhui Duan and Ke He and Qi-Kun Xue},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.07108},
year = {2015}
}
备注
main text, 15 pages, 5 figures, supporting materials added, accepted by PRL. Comments are welcomed