拓扑绝缘体表面单个缺陷的电阻
介观与纳米尺度物理
2017-06-14 v1
摘要
三维拓扑绝缘体具有线性色散的表面态，表现为狄拉克锥。纳米尺度输运测量提供了在实空间中直接探测狄拉克锥输运特性的途径，并允许对电荷载流子散射进行详细研究。在此，我们使用扫描隧道电位计来分析 (Bi0.53Sb0.47)2Te3 拓扑绝缘体薄膜表面不同类型缺陷的电阻。我们发现最大的局域电压降位于拓扑绝缘体薄膜的畴界处，其电阻率约为台阶边缘的四倍。此外，我们分辨出位于样品表面纳米级孔洞周围的电阻率偶极子。此类缺陷对拓扑表面态电阻的影响通过电阻网络模型进行了分析。发现由孔洞引起的效应与其他缺陷相比很小。
引用
@article{arxiv.1704.06580,
title = {Electrical resistance of individual defects at a topological insulator surface},
author = {Felix Lüpke and Markus Eschbach and Tristan Heider and Martin Lanius and Peter Schüffelgen and Daniel Rosenbach and Nils von den Driesch and Vasily Cherepanov and Gregor Mussler and Lukasz Plucinski and Detlev Grützmacher and Claus M. Schneider and Bert Voigtländer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.06580},
year = {2017}
}