映射缺陷诱导的应变无序对拓扑绝缘体 Dirac 态的影响
介观与纳米尺度物理
2016-09-28 v1
摘要
我们详细地微观表征了缺陷诱导的无序对三维拓扑绝缘体 Dirac 谱的影响。通过空间分辨 Landau 能级光谱测量，我们揭示了 Dirac 点能量以及 Dirac 费米子速度的纳米尺度涨落的存在，并发现对于电子和空穴，该速度在空间上呈相反方向变化。这些结果证明了一种超越基于化学势涨落的现有图像的情景。通过考虑缺陷引入的局部应变的微观效应，这些发现得到了一致的解释，我们的模型计算表明，这种局部应变有效地耦合到拓扑态，在很宽的能量范围内重塑了它们的类 Dirac 色散。特别是，我们的结果表明，由于缺陷的随机分布而不可避免地存在于晶体中的微观空间变化应变，有效地耦合到拓扑态，在正确描述无序效应时应予以仔细考虑。
引用
@article{arxiv.1609.02304,
title = {Mapping the effect of defect-induced strain disorder on the Dirac states of topological insulators},
author = {Oliver Storz and Alberto Cortijo and Stefan Wilfert and Konstantin A. Kokh and Oleg E. Tereshchenko and María A. H. Vozmediano and Matthias Bode and Francisco Guinea and Paolo Sessi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.02304},
year = {2016}
}