螺旋位错晶格上弱拓扑绝缘体的体-位错对应
数学物理
2021-09-01 v1 K理论与同调
math.MP
摘要
三维弱拓扑绝缘体已知沿螺旋位错具有拓扑保护的无能隙模式。在本文中，我们用C*-代数K-理论的语言表述并证明了这一事实。证明基于螺旋面的粗指标理论。
引用
@article{arxiv.2103.13277,
title = {The bulk-dislocation correspondence for weak topological insulators on screw-dislocated lattices},
author = {Yosuke Kubota},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.13277},
year = {2021}
}
备注
17 pages