一般拓扑能带结构中的弱指标与位错
强关联电子
2010-07-02 v2
摘要
最近的研究表明，三维拓扑绝缘体中的晶体缺陷——位错线——可以沿其长度方向承载受保护的一维模式。我们将这一观察推广到Altland-Zirnbauer分类中d=2,3维的拓扑超导体和其他绝缘体。一般而言，受保护的位错模式由(d-1)维的拓扑指标控制。通过将此特征与这些拓扑相的表面态特性联系起来，我们证明了这一点。这一观察也使我们能够约束这些表面态的性质，并通过拓扑超导体的(d-1)和(d-2)指标的加法公式加以说明。
引用
@article{arxiv.1006.5454,
title = {Weak indices and dislocations in general topological band structures},
author = {Ying Ran},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.5454},
year = {2010}
}