通过线位错工程实现三维拓扑 Anderson 绝缘体的高热电优值
介观与纳米尺度物理
2015-05-19 v1 材料科学
摘要
我们研究了具有线位错的三维拓扑 Anderson 绝缘体的热电性质。我们证明了，在高位错密度下，热电优值 ZT 可以由一维拓扑保护导电态主导，这些导电态通道穿过具有非零时间反演不变动量的拓扑绝缘体材料（如 Bi_{1-x}Sb_x）中的晶格螺型位错。当化学势不超过迁移率边太多时，室温下的 ZT 可以达到很大的值，在合理参数下远大于 1，从而使该系统成为纳米器件热管理应用的强有力候选者。
关键词
引用
@article{arxiv.1007.2966,
title = {Large thermoelectric figure of merit for 3D topological Anderson insulators via line dislocation engineering},
author = {Oleg A. Tretiakov and Ar. Abanov and Shuichi Murakami and Jairo Sinova},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.2966},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 3 figures