量子点阵列量子线的高热电优值

如何设计基于硅的、热电优值（$ZT$）大于三的量子线正受到热烈追求，因其具有低成本与成熟制备技术可用的优势。提出由耦合到电极的有限三维量子点（QD）阵列构成的量子线，以通过优化功率因子实现高效热电器件。三维 QD 阵列的透射系数可通过裁剪点间耦合强度呈现 3D、2D、1D 与 0D 拓扑分布函数。揭示了此类拓扑效应对热电性质的影响。1D 拓扑分布函数展现出最大功率因子与最佳 $ZT$ 值。我们已证明直径低于 $20~nm$、长度 $250~nm$ 的三维硅 QD 阵列纳米线在室温附近实现 $ZT\ge 3$ 具有高潜力。