InAs/InP 纳米线量子点中 30K 下的热电转换
介观与纳米尺度物理
2019-05-15 v1
摘要
我们利用 InAs/InP 纳米线量子点强电子限制的优势，展示了其中的高温热电转换。电导 G 和热电势 S 由电荷输运测量获得，并用考虑量子点多能级结构的理论模型精确重现。值得注意的是，我们的分析不依赖于共隧穿贡献的估计，因为电子热输运由多能级热输运主导。通过考虑两个自旋简并能级，我们能够评估电子热导 K，并研究电子品质因子 ZT 随量子点构型的演化，证明在 30 K 下 ZT ~ 35，对应于最大功率下的电子效率接近 Curzon-Ahlborn 极限。
引用
@article{arxiv.1903.06935,
title = {Thermoelectric conversion at 30K in InAs/InP nanowire quantum dots},
author = {Domenic Prete and Paolo Andrea Erdman and Valeria Demontis and Valentina Zannier and Daniele Ercolani and Lucia Sorba and Fabio Beltram and Francesco Rossella and Fabio Taddei and Stefano Roddaro},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.06935},
year = {2019}
}
备注
7 pages, 4 figures