单根 InAs 纳米线场效应晶体管中的巨热电势
介观与纳米尺度物理
2013-12-11 v1
摘要
在基于单根 InAs 纳米线的场效应晶体管中演示了毫伏量级的热电势。得益于埋入式加热方案，我们在纳米结构上驱动了大于 10K 的大热偏置 DT 以及强烈的电导场效应调制。这使得我们能够精确绘制室温至 100K$ 之间塞贝克系数 S 随门控电导率演化的图谱。基于这些实验数据，给出了一种电子迁移率的新估算值。将该值与基于标准场效应的迁移率估算结果进行了比较，并结合器件中电荷陷阱的影响进行了讨论。
引用
@article{arxiv.1312.2835,
title = {Giant thermovoltage in single InAs-nanowire field-effect transistors},
author = {Stefano Roddaro and Daniele Ercolani and Mian Akif Safeen and Soile Suomalainen and Francesco Rossella and Francesco Giazotto and Lucia Sorba and Fabio Beltram},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.2835},
year = {2013}
}
备注
6 pages, 4 figures