InAs纳米线的直径依赖电子迁移率
材料科学
2015-05-13 v1
摘要
利用单根InAs纳米线场效应晶体管的温度依赖I-V和C-V谱学，直接揭示了本征电子输运性质随纳米线半径的函数关系。通过C-V表征，在实现栅氧化层电容精确测量的同时，研究了未经处理（即未经任何表面功能化）纳米线表面上热激活固定电荷和陷阱态的密度；从而实现了对电子场效应迁移率的直接评估。研究发现，当场效应迁移率随半径减小至10 nm以下时单调降低，低温输运数据清楚地凸显了表面粗糙度散射对微型化纳米线迁移率退化的剧烈影响。更一般地，本文所提出的方法可作为纳米尺度电子材料深入表征的通用而强大的平台。
引用
@article{arxiv.0812.0831,
title = {Diameter-Dependent Electron Mobility of InAs Nanowires},
author = {Alexandra Ford and Johnny Ho and Yu-Lun Chueh and Yu-Chih Tseng and Zhiyong Fan and Jing Guo and Jeffrey Bokor and Ali Javey},
journal= {arXiv preprint arXiv:0812.0831},
year = {2015}
}