迈向高迁移率 InSb 纳米线器件
介观与纳米尺度物理
2015-05-11 v2 材料科学
摘要
我们研究了 InSb 纳米线的低温电子迁移率。通过采用包含接触电阻的纳米线晶体管模型进行场效应输运测量，我们在 4.2 Kelvin 温度下提取了迁移率。该模型能够精确提取器件参数，从而允许对纳米线迁移率进行系统研究。我们确定了影响迁移率的因素，并在优化后获得了约 cm/Vs 的场效应迁移率。我们进一步证明了这些迁移率值的可重复性，它们是纳米线报道中最高的数值之一。我们的研究表明，目前的迁移率受限于分子在纳米线表面和/或衬底上的吸附。
引用
@article{arxiv.1411.7285,
title = {Towards high mobility InSb nanowire devices},
author = {Önder Gül and David J. van Woerkom and Ilse van Weperen and Diana Car and Sébastien R. Plissard and Erik P. A. M. Bakkers and Leo P. Kouwenhoven},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.7285},
year = {2015}
}
备注
13 pages, 5 figures (main text); 7 pages, 2 figures, 2 tables (supplementary text)