用于量子器件的在 InP 纳米线干上生长的高迁移率自立式 InSb 纳米旗
介观与纳米尺度物理
2021-11-05 v1 材料科学
摘要
由于与其他广泛使用的半导体衬底存在较大的晶格失配，高质量异质外延二维 InSb 层极难实现。解决该问题的一种方法是利用纳米线干在晶格失配半导体系统集成时沿侧壁有效释放弹性应变的能力，在纳米线干上生长自立式二维 InSb 纳米结构。在本工作中，我们优化了自立式二维 InSb 纳米旗的形貌。具体而言，我们采用了坚固的纳米线干、优化的生长参数，并利用反射高能电子衍射 (RHEED) 精确定向衬底以实现择优生长，从而增大二维 InSb 纳米旗的横向尺寸。对这些纳米旗的透射电子显微镜 (TEM) 分析揭示了无缺陷的锌混合晶结构、化学计量比组成以及弛豫的晶格参数。所得纳米旗尺寸足够大，能够制造具有合适长宽比的霍尔条接触，从而实现精确的电学表征。测得电子迁移率约为 29,500 cm2/Vs，这是文献中报道的自立式二维 InSb 纳米结构的最高值。我们设想将二维 InSb 纳米旗用于制造先进量子器件。
引用
@article{arxiv.2111.03052,
title = {High Mobility Free-Standing InSb Nanoflags Grown On InP Nanowire Stems For Quantum Devices},
author = {Isha Verma and Sedighe Salimian and Valentina Zannier and Stefan Heun and Francesca Rossi and Daniele Ercolani and Fabio Beltram and Lucia Sorba},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.03052},
year = {2021}
}
备注
http://hdl.handle.net/11384/105250