基于少层石墨烯-AlOx 栅极的超薄 InSb 纳米线器件中的扩散与弹道输运
介观与纳米尺度物理
2024-03-14 v1 材料科学
摘要
基于 InSb 纳米线（NW）的量子器件是实现和探索拓扑保护量子态以及电控自旋量子比特的主要候选体系。无序对实现可靠拓扑能区的影响已在理论上被研究，凸显了优化生长和纳米加工的重要性。本工作中我们同时研究了这两个方面。我们开发了具有超薄直径的 InSb 纳米线，以及一种涉及少层石墨烯（FLG）和原子层沉积（ALD）生长的 AlOx 的新栅极方案。对这些器件的低温电子输运测量揭示了电导平台和法布里—珀罗干涉，证明了在少量子模 regime 中的相位相干输运。本工作所开发的方法有助于减轻基于半导体的量子器件中材料和加工引入的无序的作用。
引用
@article{arxiv.2306.00117,
title = {Diffusive and Ballistic Transport in Ultra-thin InSb Nanowire Devices Using a Few-layer-Graphene-AlOx Gate},
author = {Lior Shani and Pim Lueb and Gavin Menning and Mohit Gupta and Colin Riggert and Tyler Littman and Frey Hackbarth and Marco Rossi and Jason Jung and Ghada Badawy and Marcel A. Verheijen and Paul Crowell and Erik P. A. M. Bakkers and Vlad S. Pribiag},
journal= {arXiv preprint arXiv:2306.00117},
year = {2024}
}
备注
14 pages, 5 figures