窄带隙半导体 InSb 纳米线中的双极性输运
介观与纳米尺度物理
2020-03-25 v1
摘要
我们报道了由化学气相沉积生长的 InSb 纳米线制成的顶栅场效应晶体管的输运测量研究。该晶体管表现出双极性输运特征，由三个不同的栅压区域显现：在费米能级位于带隙中的中间区域，电阻随温度和栅压呈指数依赖关系。在更正的或更负的栅压下，器件分别进入电子和空穴输运区，表现为电阻随温度降低而线性减小。根据由直径 50 nm 纳米线制成的 1-m 长器件的输运测量数据，我们提取出 190-220 meV 的带隙能量。该器件在温度 T = 4 K 时的关态电流在测量噪声内被抑制。一个更短的 260 nm 长器件表现出有限的关态电流，以及在 V = 50 mV 下 11 A/m 的空穴导通态周长归一化电流，据我们所知这是此类器件中的最高值。双极性输运特征使 InSb 纳米线在 CMOS 电子学、电子-空穴混合量子系统以及基于空穴的自旋量子比特中具有吸引力。
引用
@article{arxiv.2001.06647,
title = {Ambipolar Transport in Narrow Bandgap Semiconductor InSb Nanowires},
author = {B. Dalelkhan and D. Göransson and C. Thelander and K. Li and Y. J. Xing and V. F. Maisi and H. Q. Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.06647},
year = {2020}
}
备注
13 pages, 4 figures