PbSe 纳米晶阵列中的电荷输运
介观与纳米尺度物理
2008-01-28 v2
摘要
我们报告了构成场效应晶体管沟道的 PbSe 纳米晶阵列的电输运测量结果。测量了这些器件中的电流随源漏电压、栅极电压和温度的变化关系。退火处理是观测到可测量电流的必要条件，此后，本征局域态之间的简单跳跃模型即可描述纳米晶固体的输运性质。我们发现多数载流子为空穴，它们从受主态热释放出来。在低源漏电压下，电导率的激活能由产生空穴所需的能量加上由位点无序引起的势垒激活能组成；而在高源漏电压下，激活能仅由前者决定。零偏置电导的热激活能表明费米能级接近最高占据价能级（即 1Sh 态），这一点得到了场效应测量的证实，该测量给出的态密度约为每个纳米晶八个，这与 1Sh 态的简并度预期一致。
引用
@article{arxiv.0708.1135,
title = {Charge transport in arrays of PbSe nanocrystals},
author = {T. S. Mentzel and V. J. Porter and S. Geyer and K. MacLean and M. G. Bawendi and M. A. Kastner},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.1135},
year = {2008}
}
备注
8 pages,10 figures