单层 WSe$_2$ 中载流子散射的输运研究
介观与纳米尺度物理
2023-10-11 v2
摘要
利用助熔剂生长的单晶 WSe，我们报道了在 -BN 封装单层场效应晶体管中测量的载流子散射行为。我们在不同空穴密度和温度下进行量子输运测量，并在高度掺杂样品中观察到输运迁移率 随空穴密度呈非单调变化。这一异常行为可由利用 T 矩阵近似计算的强缺陷的能量依赖散射振幅来解释。利用长平均自由程（>500 nm），我们通过展示静电定义量子点接触中的量子化电导台阶，证明了我们电子器件的高品质。我们的结果显示了基于原子级薄半导体制造超高品质量子光电子器件的潜力。
引用
@article{arxiv.2310.04624,
title = {Transport Study of Charge Carrier Scattering in Monolayer WSe$_2$},
author = {Andrew Y. Joe and Kateryna Pistunova and Kristen Kaasbjerg and Ke Wang and Bumho Kim and Daniel A. Rhodes and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and James Hone and Tony Low and Luis A. Jauregui and Philip Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.04624},
year = {2023}
}
备注
6 pages, 4 figures