高度非均匀半导体中的载流子迁移率建模
材料科学
2015-07-22 v1
摘要
利用蒙特卡罗方法，理论分析了大尺度、不同形状和取向的缺陷对载流子散射的影响，并与实验测量结果进行了比较。研究展示了大尺度缺陷如何通过与自由电荷载流子的相互作用来屏蔽自身。并对量子输运和经典输运区域进行了比较。
引用
@article{arxiv.1507.05825,
title = {Carrier mobility modeling in highly inhomogeneous semiconductors},
author = {Algirdas Mekys and Vytautas Rumbauskas and Laurynas Andrulionis and Jurgis Storasta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.05825},
year = {2015}
}