具有化学掺杂接触的高性能单层WSe2 p型场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2012-06-22 v1
摘要
我们报道了基于单层（厚度约0.7 nm）WSe2作为有源沟道，并采用化学掺杂的源/漏接触和高κ栅介质的高性能p型场效应晶体管。顶栅单层晶体管在室温下表现出约250 cm^2/Vs的高有效空穴迁移率、约60 mV/dec的完美亚阈值摆幅以及大于10^6的开关比。特别关注通过使用高功函数Pd接触以及通过图案化NO2化学吸附在WSe2上对接触进行简并表面掺杂来降低空穴注入的接触电阻。这里的结果为具有优异特性的p型单层晶体管提供了一种有前景的材料系统和器件架构。
引用
@article{arxiv.1206.4776,
title = {High Performance Single Layered WSe2 p-FETs with Chemically Doped Contacts},
author = {Hui Fang and Steven Chuang and Ting Chia Chang and Kuniharu Takei and Toshitake Takahashi and Ali Javey},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.4776},
year = {2012}
}