基于原子层沉积的Nb掺杂WS2接触的WSe2 p-MOSFET
材料科学
2025-11-25 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
演示了使用原子层沉积制备的Nb掺杂WS2接触的WSe2 p-MOSFET器件。该器件采用一种将接触金属化与Nb掺杂WS2接触对齐的技术制造，利用选择性氧化工艺实现。具有源漏间距0.15 μm的器件，在VDS = -1 V时实现约7.5×10^12 cm^-2的通道载流子浓度下，单位面积导通电流可达103 μA。这些结果为创建面向2D通道晶体管的低电阻接触提供了一条具有CMOS兼容性的可行路径。
引用
@article{arxiv.2511.18778,
title = {WSe2 p-MOSFETs with Nb-Doped WS2 Contacts Deposited using Atomic Layer Deposition},
author = {Shivanshu Mishra and Ruixue Li and Dongjea Seo and Anil Adhikari and Lucas G. Cooper and Rebecca A. Dawley and Ageeth A. Bol and Steven J. Koester},
journal= {arXiv preprint arXiv:2511.18778},
year = {2025}
}
备注
5 figures, 4 pages