硫族元素辅助接触工程：迈向二硒化钨场效应晶体管的 CMOS 集成
应用物理
2019-01-09 v1
摘要
建立用于 CMOS 集成电路的二维半导体技术的主要障碍之一，是缺乏可工业规模化的掺杂技术，以制得具有可比 n 型和 p 型特性的二维 FETs。本文展示一种基于硫族元素的工艺来改变 WSe2 表面，从而实现增强的双极性行为，以及 WSe2 FETs 从 n 型到 p 型行为的完全转变。该工艺涉及硫族原子与 TMDC 表面间的干式化学反应，产生表面态，从而改善通过 FETs 的空穴与电子注入。我们提出此类工艺用于实现全 WSe2 基 CMOS 集成电路，从而揭示其在技术上的潜力。
引用
@article{arxiv.1901.02147,
title = {Chalcogen assisted contact engineering: towards CMOS integration of Tungsten Diselenide Field Effect Transistors},
author = {Ansh and J Kumar and R K Mishra and S Raghavan and Mayank Shrivastava},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.02147},
year = {2019}
}