通过钒取代实现二维 WSe2 的可控 p 型掺杂
材料科学
2021-07-29 v1
摘要
二维(2D)过渡金属硫族化合物(TMDCs)的可扩展取代掺杂是开发基于二维材料的下一代逻辑与存储器件的前提。迄今为止，掺杂工作仍处于起步阶段。在此，我们报道了在分别与前端制程(FEOL)和后端制程(BEOL)兼容的 800 {\deg}C 和 400 {\deg}C 温度下，二维 WSe2 的可扩展生长与钒(V)掺杂。实验与理论研究的结合证实，钒原子在 WSe2 中取代钨，通过引入靠近价带顶的离散缺陷能级从而实现 p 型掺杂。所构建的场效应晶体管进一步验证了 V 掺杂剂的 p 型性质，其中空穴导电随钒浓度增加而占主导。因此，我们的研究提出了一种精确控制有意引入杂质密度的方法，这对于生产电子级晶圆级外禀二维半导体不可或缺。
引用
@article{arxiv.2107.13413,
title = {Controllable p-type Doping of 2D WSe2 via Vanadium Substitution},
author = {Azimkhan Kozhakhmetov and Samuel Stolz and Anne Marie Z. Tan and Rahul Pendurthi and Saiphaneendra Bachu and Furkan Turker and Nasim Alem and Jessica Kachian and Saptarshi Das and Richard G. Hennig and Oliver Gröning and Bruno Schuler and Joshua A. Robinson},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.13413},
year = {2021}
}