钒掺杂WSe2半导体中长程磁序的栅极调控
材料科学
2020-06-25 v1
摘要
我们利用第一性原理计算证明了p型钒掺杂WSe2单层中长程磁序的栅极可调性。我们发现，在低V掺杂浓度极限下，长程铁磁序随空穴密度增加而增强。相反，在高中子密度下通过p型V掺杂浓度的完全补偿，呈现出短程反铁磁序。空穴介导的长程磁交换约为70 meV，从而强烈暗示V掺杂WSe2在室温下存在铁磁性。我们在V掺杂WSe2中电荷与自旋序强耦合的发现，为多功能栅极可调自旋电子学提供了广阔空间。
引用
@article{arxiv.2001.06941,
title = {Gate modulation of the long-range magnetic order in a vanadium-doped WSe2 semiconductor},
author = {Dinh Loc Duong and Seong-Gon Kim and Young Hee Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.06941},
year = {2020}
}
备注
13 pages, 4 figures, 1 table