空穴掺杂对铁电性α-In2Se3中可调磁性的调控
材料科学
2021-03-17 v1 计算物理
摘要
二维（2D）多铁材料因其基础科学意义及潜在应用而受到深入研究。尽管许多二维体系已被观测或预测具有铁电或铁磁性，但同时具备两种铁性性质的二维材料仍然稀缺。通过第一性原理计算，我们预测空穴掺杂可因其独特的平带结构在二维铁电α-In2Se3中诱导出稳健的铁磁性，且居里温度（TC）可远高于室温。此外，掺杂浓度、应变和层数可有效调控该材料的磁矩与TC。有趣的是，在空穴掺杂多层α-In2Se3表面发现了强磁电耦合，可实现磁化的非易失性电学调控。我们的工作为设计/寻找在未来器件应用（如存储器件和传感器）中具有巨大潜力的二维多铁材料提供了可行途径。
引用
@article{arxiv.2102.09135,
title = {Tunable magnetism in ferroelectric {\alpha}-In2Se3 by hole-doping},
author = {Chang Liu and Bing Wang and Guanwei Jia and Pengyu Liu and Huabing Yin and Shan Guan and Zhenxiang Cheng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.09135},
year = {2021}
}