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单轴应力下高空气稳定性PdSe2单层中空穴掺杂诱导的半金属铁磁性

介观与纳米尺度物理 2019-06-05 v1

摘要

二维(2D)高温铁磁材料对自旋电子学应用具有重要意义。幸运的是,已通过从层状块体材料剥离获得了一种高空气稳定性的PdSe2_2单层半导体。在此类优异的非磁性单层半导体中实现稳健的铁磁性、甚至半金属铁磁性(100\%自旋极化)是非常令人期待的。本文第一性原理研究表明,PdSe2_2单层可实现Stoner铁磁性,其最高居里温度可达800K,且铁磁性所需的空穴浓度阈值随施加的单轴应力而降低。此外,在某些空穴浓度区间内可实现半金属性。对于10\%应变(4.4 N/m单轴拉应力),该单层在150 K以下可实现半金属铁磁性。磁各向异性能不仅适于稳定2D铁磁性,也适于实现快速磁化反转。磁化也可通过施加横向单轴应力来调控。具有这些优势的高空气稳定性PdSe2_2单层,应在自旋电子学应用中颇具前景。

关键词

引用

@article{arxiv.1803.03079,
  title  = {Hole-doping-induced half-metallic ferromagnetism in highly-air-stable PdSe2 monolayer under uniaxial stress},
  author = {Shi-Hao Zhang and Bang-Gui Liu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1803.03079},
  year   = {2019}
}

备注

7 pages, 5 figures