室温铁电控制二维层状磁性

电子调控磁性对于开发快速、紧凑、超低功耗电子器件至关重要。多铁电材料因其通过磁电耦合可通过电场控制磁性而具有重要潜力，尤其是在层状铁电/铁磁异质结构中。一个关键挑战是实现使用电压控制在不同磁性状态之间进行可逆且稳定的切换。在本工作中，我们展示了在二维层状铁磁体中实现铁电调控室温磁性。该能源效率的控制耗费不到每操作1 fJ，通常为数个 aJ，导致磁化强度约43%的变化。这种可调多铁电界面及其相关器件为下一代可重构通信系统、自旋电子学、传感器和存储器提供了有前景的机会。