在相修饰的MoS$_2$中实现室温高矫顽力
材料科学
2025-07-10 v2 应用物理
摘要
具有室温磁性和高矫顽力的二维(2D)材料对于将磁性与其适用于自旋电子学的半导体特性相结合至关重要。本工作研究了MoS的1T相在室温下的磁性能。我们观察到铁磁性，其矫顽力约为0.3 T，室温下最大饱和磁化强度为0.26 emu/g。这是迄今为止在室温二维磁体中报道的最高矫顽力。MoS纳米片通过一步水热合成法制备，其中1T相相对含量高达77%。我们通过层间距和矫顽力报告了结构特征与磁特性之间的相关性。层间距的增加也伴随着1T相的增加。我们的结果为控制二维磁体中的矫顽力和饱和磁化强度开辟了一条有用的途径，该磁体在自旋电子学和低功耗量子器件中具有应用前景。
引用
@article{arxiv.2507.04905,
title = {Unlocking high coercivity at room temperature in phase modified MoS$_2$},
author = {Zainab Chowdhry and Kushal Mazumder and Praveen Hegde and Ajith Jena and Vidya Praveen Bhallamudi and Pramoda K. Nayak},
journal= {arXiv preprint arXiv:2507.04905},
year = {2025}
}
备注
16 pages, 4 figures