具有可调铁电控制高性能阻变存储器的多铁性Ti$_3$C$_2$T$_x$ MXene
应用物理
2022-08-30 v1 材料科学
摘要
基于同时铁电和铁磁现象的多铁性(MF)器件被认为是未来双功能微/纳电子学的有前途候选。二维材料中的多铁性现象文献中鲜有报道。我们报道了一种在室温下揭示TiCT MXene薄膜中频率依赖铁电性与多铁性的简单方法。为研究频率与极化对铁电性及多铁性的影响,我们在零与非零静态磁场下于不同外部频率进行了电极化-电场测量。为进一步探究该效应,还进行了磁电(ME)耦合以确认所合成TiCT MXene薄膜的多铁性本质。铁电滞回效应归因于低频下电畴壁的翻转,其在更高频率下仍很大程度上持续响应。无序电偶极子与局域自旋矩之间的耦合可导致强磁电耦合的存在。此外,三层存储器件中的双极阻变也支持了HT-TiCT MXene薄膜的铁电行为,并由于铁电HT-TiCT MXene内最小介电损耗而展现出均匀的切换行为重复性,且相较于非铁电TiCT MXene具有改善的开/关比。此处报道的室温下独特多铁性行为及铁电调谐忆阻器器件将有助于理解二维材料的内在本质,并将建立新型数据存储器件。
引用
@article{arxiv.2208.13128,
title = {Multiferroic Ti$_3$C$_2$T$_x$ MXene with Tunable Ferroelectric-controlled High Performance Resistive Memory Devices},
author = {Rabia Tahir and Sabeen Fatima and Syedah Afsheen Zahra and Deji Akinwande and Syed Rizwana},
journal= {arXiv preprint arXiv:2208.13128},
year = {2022}
}