室温下 SnSe 单层中铁电畴的微观操纵
材料科学
2020-08-26 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
二维(2D)范德瓦耳斯铁电体为基于二维铁性材料的垂直与共面异质结构建人工多铁性材料和非易失性电子器件提供了前所未有的结构自由度。然而,在具有面内极化的单原子层厚二维铁电体中,受控的微观铁电畴操纵仍然罕见。在此我们报道,在石墨烯上生长的 SnSe 单层薄片中存在临界温度接近 400 K 的稳健铁电性,并展示了通过对扫描隧道显微镜(STM)针尖施加适当的偏置电压脉冲,在室温下实现受控的铁电畴操纵。本研究表明,STM 是探测和操纵二维铁电单层中微观畴结构的强有力工具,而传统方法如压电响应力显微镜难以做到这一点,从而有助于寻找其他具有面内极化、具有重要技术应用价值的二维铁电单层。
引用
@article{arxiv.2004.03884,
title = {Microscopic manipulation of ferroelectric domains in SnSe monolayers at room temperature},
author = {Kai Chang and Felix Küster and Brandon J. Miller and Jing-Rong Ji and Jia-Lu Zhang and Paolo Sessi and Salvador Barraza-Lopez and Stuart S. P. Parkin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.03884},
year = {2020}
}