$p$型单层硫族化镓（GaSe, GaS）中的磁性
介观与纳米尺度物理
2014-09-18 v2 材料科学
摘要
通过进行密度泛函计算，研究了型单层 GaX（X=S,Se）中的磁性。由于价带边缘附近存在大的态密度，这些单层半导体在小范围的空穴掺杂下呈现铁磁性。本征 Ga 空位可以促进局部磁矩，而 Se 空位则不能。空位诱导的局部磁矩之间的磁耦合是铁磁性的，且出乎意料地具有长程性。结果表明，磁化可通过空穴掺杂诱导，并可通过受控缺陷生成进行调控。
引用
@article{arxiv.1409.4733,
title = {Magnetisms in $p$-type monolayer gallium chalcogenides (GaSe, GaS)},
author = {Sianxin Wu and Xia Dai and Hongyi Yu and Heng Fan and Jiangping Hu and Wang Yao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.4733},
year = {2014}
}
备注
5 pages