Mn 替换体系中铁磁性、空穴局域化与受主能级深度的趋势
其他凝聚态物理
2009-11-10 v1
摘要
我们通过分析在固定过渡金属杂质、将宿主从 GaN 变为 GaP、GaAs 和 GaSb 时电子结构的趋势，研究了稀磁半导体中铁磁性的内在机制。与以往依赖于宿主半导体的解释不同，我们发现单一机制足以解释整个系列的铁磁稳定能。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0409296,
title = {Trends in ferromagnetism, hole localization, and acceptor level depth for Mn substitution in},
author = {Priya Mahadevan and Alex Zunger},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0409296},
year = {2009}
}
备注
4 figures; To appear in Appl. Phys. Lett