稀磁半导体中感应铁磁性的放大
材料科学
2015-05-13 v1
摘要
考虑由铁磁金属和稀磁半导体构成的平面结构的磁性质（以Fe/Ga(Mn)As结构为例，该结构已在[F. Maccherozzi, e.a., Phys. Rev. Lett., 101, 267201 (2008)]中进行了实验研究）。在平均场理论的框架下，我们证明了由于磁性杂质的间接相互作用，铁磁金属在近界面半导体区域感应的铁磁性存在显著的放大效应。这导致边界半导体区域中磁化强度存在的温度范围大幅扩展，这可能对潜在的实际应用具有重要意义。
引用
@article{arxiv.0903.1726,
title = {Amplification of the induced ferromagnetism in diluted magnetic semiconductor},
author = {E. Z. Meilikhov and R. M. Farzetdinova},
journal= {arXiv preprint arXiv:0903.1726},
year = {2015}
}