混合金属-半导体结构中高迁移率载流子的高温自旋极化
介观与纳米尺度物理
2015-05-18 v1
摘要
我们考虑由铁磁金属、稀磁半导体和量子阱构成的平面结构的磁性质（以Fe--Ga(Mn)As--InGaAs混合异质结构为例）。在平均场理论框架下，由于磁性杂质（Mn）通过量子阱中导电通道的间接相互作用，铁磁金属（Fe）诱导的铁磁性显著增强。结果，高温铁磁性产生，导致局域在量子阱中的载流子（空穴）发生自旋极化，同时保持其高迁移率。
引用
@article{arxiv.1004.4425,
title = {High-temperature spin polarization of high-mobility charge carriers in hybrid metal-semiconductor structures},
author = {E. Z. Meilikhov and R. M. Farzetdinova},
journal= {arXiv preprint arXiv:1004.4425},
year = {2015}
}