铁磁多层半导体纳米结构中的自旋极化输运
其他凝聚态物理
2015-06-25 v1
摘要
多层铁磁稀磁半导体纳米结构中不均匀自旋密度分布的出现导致自旋极化输运性质对这些系统有很强的依赖性。我们计算了(Ga,Mn)As/GaAs、(Ga,Mn)N/GaN和(Si,Mn)/Si多层结构中自旋相关的迁移率、电导率和电阻率随温度的变化，温度以稀磁半导体层的平均磁化强度为标度。在转变温度附近观察到电阻率的增加。我们观察到三种材料之间的自旋极化输运性质变化很大。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0610275,
title = {Spin-polarized transport in ferromagnetic multilayered semiconductor nanostructures},
author = {E. J. R. Oliveira and A. T. da Cunha Lima and M. A. Boselli and G. M. Sipahi and S. C. P. Rodrigues and I. C. da Cunha Lima},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0610275},
year = {2015}
}
备注
3 pages, 4 figures