稀释磁性半导体隧道结的隧道磁阻
强关联电子
2009-11-07 v1
摘要
我们采用自旋极化隧道模型，并考虑铁磁半导体的基本物理，研究了稀释磁性半导体 (DMS) 三层异结构体系中 (Ga,Mn)As/AlAs/(Ga,Mn)As 的隧道磁阻 (TMR)。实验观察到的 TMR 比值与基于典型材料参数的计算结果在合理范围内吻合。还发现 TMR 比值对它inerant 载流子密度和磁性离子密度均有强烈依赖。这为通过优化材料参数实现更大的 TMR 比值提供了潜在途径。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0101206,
title = {Tunneling magnetoresistance in diluted magnetic semiconductor tunnel junctions},
author = {Pin Lyu and Kyungsun Moon},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0101206},
year = {2009}
}
备注
5 pages (RevTex), 3 figures (eps), submitted to PRB