三种超薄三卤化铬中可调制的隧穿磁阻响应
材料科学
2019-07-17 v2
摘要
数十年来，表现出大磁阻的材料引起了极大的兴趣。最近，多个研究组通过利用相邻层之间弱的反铁磁耦合，在超薄 CrI 中报道了极大的隧穿磁阻（TMR）。在此，我们报道了在二维极限下对所有三种三卤化铬（CrX，X = Cl、Br 或 I）中 TMR 的比较研究。由于这些材料在基态下表现出不同的转变温度和层间磁有序，隧穿测量可轻松确定这三个体系的场-温度相图。通过改变样品厚度和偏置条件，我们进而展示了如何在每种材料的不同温度下最大化并进一步定制 TMR 响应。特别地，在磁转变温度附近，由于大的场致交换耦合，所有三种化合物的 TMR 在最高测量场下均未达到饱和。
引用
@article{arxiv.1904.10476,
title = {Tailored tunnel magnetoresistance response in three ultrathin chromium trihalides},
author = {Hyun Ho Kim and Bowen Yang and Shangjie Tian and Chenghe Li and Guo-Xing Miao and Hechang Lei and Adam W. Tsen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.10476},
year = {2019}
}