分子束外延生长的锰氧化物隧道结在低温下的隧穿磁阻性能提升
介观与纳米尺度物理
2015-05-27 v1 材料科学
摘要
我们报道了通过分子束外延生长的La0.65Sr0.35MnO3/SrTiO3/La0.65Sr0.35MnO3隧道结的电阻随磁场变化的测量结果，该隧道结在低温下展现出具有极高隧穿磁阻（TMR）的大磁场窗口。当面内施加磁场方向旋转360°进行扫描时，TMR呈现四重对称性，即双轴各向异性，与晶轴对齐而非与隧道结几何长轴对齐。在4K温度下，TMR达到约1900%，假设界面相同，对应的界面自旋极化率超过95%。这些结果表明，单轴各向异性并非实现大TMR的必要条件，并为未来改进锰氧化物隧道结中的TMR奠定了基础。
引用
@article{arxiv.1104.1072,
title = {Improved tunneling magnetoresistance at low temperature in manganite junctions grown by molecular beam epitaxy},
author = {Robert Werner and Alexandr Yu. Petrov and Lucero Alvarez Mino and Reinhold Kleiner and Dieter Koelle and Bruce A. Davidson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.1072},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 7 figures; accepted in Applied Physics Letters