理解垂直磁隧道结的稳定性图
材料科学
2017-01-24 v1
摘要
研究了具有底部钉扎参考层和复合自由层（FL）的垂直磁隧道结（MTJ）。测试了不同厚度的FL，以获得隧道磁电阻（TMR）比与垂直磁各向异性之间的最优平衡。在400 C退火后，对于1.5 nm厚的CoFeB子层，在室温下TMR比达到180%，在20 K下达到280%，其MgO隧道势垒厚度对应于电阻面积积RA = 10 Ohmm。在直径为130 nm的柱状MTJ中测量的电压-磁场稳定性图表明，在开关过程中自旋转移矩（STT）、电压控制磁各向异性（VCMA）与温度效应之间存在竞争。一个考虑了所有三个参数以及通过宽带铁磁共振技术独立测量的有效阻尼的扩展稳定性相图模型，使得能够确定负责FL磁化开关的STT和VCMA系数。
引用
@article{arxiv.1701.06411,
title = {Understanding stability diagram of perpendicular magnetic tunnel junctions},
author = {Witold Skowroński and Maiej Czapkiewicz and Sławomir Ziętek and Jakub Chęciński and Marek Frankowski and Piotr Rzeszut and Jerzy Wrona},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.06411},
year = {2017}
}
备注
6 pages 4 figures