具有多界面自由层的垂直磁隧道结
材料科学
2022-01-12 v1
摘要
未来几代磁性随机存取存储器要求磁隧道结能够同时提供高磁电阻、强保持力、低开关能量以及小于10nm的小单元尺寸。本文研究具有复合自由层的垂直磁隧道结，其中多个铁磁体/非磁体界面可贡献于热稳定性。在这些多界面自由层中，采用不同的非磁性材料（MgO、Ta、Mo）作为耦合层。研究了不同退火条件下结特性的演化。观察到隧穿磁电阻对第一层CoFeB厚度的强烈依赖。在以Mo和MgO作为耦合层的结中，经过400°C退火后实现了高于200%的大隧穿磁电阻。
引用
@article{arxiv.2201.03798,
title = {Perpendicular magnetic tunnel junctions with multi-interface free layer},
author = {Pravin Khanal and Bowei Zhou and Magda Andrade and Yanliu Dang and Albert Davydov and Ali Habiboglu and Jonah Saidian and Adam Laurie and Jian-Ping Wang and Daniel B Gopman and Weigang Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.03798},
year = {2022}
}