具有插入层的磁隧道结自由层中交换相互作用的减弱
介观与纳米尺度物理
2019-10-25 v1
摘要
具有超薄非磁插入层的垂直磁化 CoFeB 层被广泛用作自旋转移磁随机存取存储器器件中磁隧道结的电极。交换相互作用在决定此类器件中磁态的热稳定性及其自旋转矩翻转效率方面起着关键作用。本文通过宽温区磁化测量确定了完整磁隧道结层栈中自由层（具体为含 W 插入层的 CoFeB 自由层）的交换常数。一个显著发现是，交换常数随 W 插入层厚度增加而发生显著且 abrupt 的下降。垂直磁各向异性呈现相反趋势：它最初随 W 插入层厚度增加而增大，并在约一个单原子层（0.3 nm）的 W 处出现宽峰。这些结果凸显了优化磁隧道结器件性能所需的磁特性之间的相互依赖关系。
引用
@article{arxiv.1905.09329,
title = {Reduced Exchange Interactions in Magnetic Tunnel Junction Free Layers with Insertion Layers},
author = {Jamileh Beik Mohammadi and Bartek Kardasz and Georg Wolf and Yizhang Chen and Mustafa Pinarbasi and Andrew D. Kent},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.09329},
year = {2019}
}
备注
submitted to Advanced Electronic Materials